고전압·고전류용 FET vs 저전력·로직레벨용 FET: 용도에 맞는 선택 가이드

전자 회로를 설계할 때, FET(FET: Field Effect Transistor)의 선택은 회로의 안정성과 효율성에 큰 영향을 미칩니다. 특히 고전압·고전류용 FET 과 저전력·로직레벨용 FET 은 목적에 따라 설계 방식이 다르며, 선택 기준도 뚜렷이 구분되어야 합니다. 이 글에서는 두 종류의 FET 특성과 차이점을 실용적인 관점에서 비교해보겠습니다.     1. 구분 기준: 전압, 전류, 구동 전압 고전압·고전류용 FET: 산업용 전원장치, 모터 드라이버, DC-DC 컨버터 등에 사용되며, 드레인-소스 전압(V DS )이 수백 볼트, 전류 용량도 수십 암페어에 달합니다. 저전력·로직레벨용 FET: 마이크로컨트롤러, 라즈베리파이, 아두이노 등에서 신호 레벨 제어나 소형 구동에 사용되며, 2.5~5V 게이트 전압으로도 충분히 스위칭이 가능합니다. 2. 대표적 사양 비교 항목 고전압·고전류용 FET 로직레벨용 FET 드레인-소스 전압 (V DS ) 100V~1000V 20V~60V 최대 드레인 전류 (I D ) 10A~100A 이상 1A~20A 게이트 구동 전압 (V GS ) 10~15V 2.5~5V 주 용도 모터, 인버터, 고전력 컨버터 MCU I/O 제어, 소형 LED, 센서 구동     3. 예시 제품 비교 IRF540N: 100V, 33A 고전압용. 게이트 구동에 10V 이상 필요. IRLZ44N: 55V, 47A 로직레벨용. 5V 구동 가능. FQP30N06L: 일반적인 60V/32A 로직레벨용 FET, 가격 저렴. 4. 선택 팁 MCU와 직접 연결할 경우 반드시 로직레벨 FET을 사용해야 합니다. 일반 FET은 구...